JFET: измерение тока стока насыщения, Idss (094e)

В своем видео о проектировании усилителя с общим стоком я сказал, что измерил ток насыщения стока, Idss, и напряжение отсечки, Vgs(off), всех пяти моих полевых транзисторов 2N4118. Но я НЕ сказал, КАК я это сделал. В этом видео я покажу вам, как измерить ток насыщения стока, Idss, полевого транзистора с p-n переходом. ССЫЛКИ ВИДЕО: JFET — Как они работают https://www.youtube.com/watch?v=nZFx8nyQJ0o ВИДЕО: JFET — Проектирование усилителя с общим истоком https://www.youtube.com/watch?v=fCbKqYIz5WM ВИДЕО: JFET — Проектирование усилителя с общим стоком https://www.youtube.com/watch?v=9WXhbCiGGp0 Библиография по JFET: = Эванс, Артур Д. (ред.). Siliconix Inc. «Проектирование с использованием полевых транзисторов», Нью-Йорк: McGraw-Hill Book Company, 1981. = Фиоре, Джеймс. «Полупроводниковые приборы: теория и применение, 2-е изд.», 2.0.8, лицензия Creative Commons, 2024 г. = Миллман, доктор философии, Джейкоб; Стивен В. Директор, консультант-редактор. «Микроэлектроника: цифровые и аналоговые схемы и системы», Нью-Йорк: McGraw-Hill Book Company, 1979 г. = Мотес, доктор философии, Р. Эндрю. AM Photonics. «Усилитель на полевых транзисторах: анализ и проектирование», Рио-Ранчо, Нью-Мексико. = Нимен, Дональд А. «Анализ и проектирование электронных схем», Чикаго: Times Mirror Higher Education Group, Inc. Company, 1996. Временные метки для вашего удобства 00:00 Вступительные комментарии 01:02 Сценарий тестирования 02:13 Как проводится тестирование 03:37 Тестовая схема 04:33 Настройка теста 04:34 Генератор сигналов 05:47 Выбор резистора для измерения тока 06:24 Установка напряжения питания 07:29 Проведение теста 09:13 Заключительные комментарии и прощание